型号 | IRF9952TRPBF |
厂商 | International Rectifier |
描述 | MOSFET N+P 30V 2.3A 8-SOIC |
IRF9952TRPBF PDF | ![]() |
代理商 | IRF9952TRPBF |
产品目录绘图 | IR Hexfet 8-SOIC |
标准包装 | 1 |
系列 | HEXFET® |
FET 型 | N 和 P 沟道 |
FET 特点 | 逻辑电平门 |
漏极至源极电压(Vdss) | 30V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 3.5A,2.3A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 100 毫欧 @ 2.2A,10V |
Id 时的 Vgs(th)(最大) | 1V @ 250µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 14nC @ 10V |
输入电容 (Ciss) @ Vds | 190pF @ 15V |
功率 - 最大 | 2W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
供应商设备封装 | 8-SO |
包装 | 标准包装 |
其它名称 | IRF9952PBFDKR |